长鑫科技集团股份有限公司

核心产品/服务

• DDR4 DRAM芯片：动态随机存取存储芯片，采用19nm制程工艺，容量为8Gb，速率涵盖2666MHz和3200MHz等规格。该产品为通用型DRAM，广泛应用于个人电脑、智能手机等消费电子终端，并供应给联想、华为、小米等国内主流终端厂商。
• DDR5 DRAM芯片：新一代动态随机存取存储芯片，长鑫科技已推出16Gb容量的DDR5产品，速率可达4800MHz至5600MHz及以上。相较于DDR4，其在带宽和能效方面有显著提升，主要面向高端服务器、数据中心以及AI算力需求强烈的应用场景，已通过部分服务器厂商的认证。
• HBM3高带宽存储芯片：第三代高带宽存储芯片，专为高性能计算和人工智能加速器等需要极高内存带宽的场景设计。该产品处于研发阶段，计划在2025年底前交付样品，并预计从2026年开始全面量产，旨在满足先进AI服务器对存储性能的苛刻要求。
• LPDDR5 DRAM芯片：第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。长鑫科技已推出12Gb颗粒的LPDDR5产品，以及POP封装的12GB芯片和DSC封装的6GB芯片。与上一代LPDDR4X相比，单一颗粒的容量和速率均提升50%，最高速率达6400Mbps，同时功耗降低30%。主要应用于中高端移动设备、物联网设备等。
• LPDDR4/LPDDR4X DRAM芯片：低功耗双倍速率动态随机存储器，主要面向移动终端等对功耗敏感的设备。与标准DDR4产品相比，其功耗更低，有助于延长移动设备的电池续航时间。

核心团队

• 谢树民 – 董事
• 郭薇 – 董事
• 曹堪宇 – 董事
• 侯华伟 – 董事
• 蔡一茂 – 董事
• 赵纶 – 法定代表人、总经理、董事
• 郑锐 – 董事
• 朱一明 – 董事长
• 李华 – 董事
• 陈武朝 – 董事