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长鑫存储技术(上海)有限公司

赵纶

长鑫存储技术(上海)有限公司

基本信息

项目
统一社会信用代码 91310105MA1FWCHN6J
注册资本 1000万
成立日期 2018-08-27
法定代表 赵纶
员工规模 54
所属行业 信息传输、软件和信息技术服务业
主营业务 核心主营业务包括:1. 集成电路设计,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发与设计,涵盖LPDDR5、DDR4/5等产品系列;2. 半导体芯片相关软件开发,涉及计算机软硬件及网络软硬件产品的设计与开发;3. 电子产品销售及技术服务,提供半导体集成电路芯片的销售、技术转让、咨询及售后服务,并从事货物与技术的进出口业务。
企业类型 有限责任公司(外商投资企业法人独资)
经营状态 存续

详细介绍

核心产品/服务

  • LPDDR5X DRAM芯片:第五代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器,是长鑫存储推出的最新一代移动端内存产品。该系列产品提供12GB、16GB、24GB、32GB等多种容量选择,支持8533Mbps、9600Mbps至10667Mbps的数据传输速率,其中10667Mbps版本比当前主流旗舰手机标准快约25%。产品采用先进封装技术,正在研发厚度仅0.58mm的业内最薄芯片,显著提升散热性能并为终端设备设计留出更大空间,特别适用于旗舰智能手机、AI平板电脑、高端笔记本电脑及AR/VR设备等对功耗和性能要求严格的场景。
  • LPDDR5 DRAM芯片:第五代低功耗动态随机存储器,包括12Gb LPDDR5颗粒、采用POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。与上一代LPDDR4X相比,单一颗粒容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,功耗降低30%。产品内置纠错码(On-die ECC)技术,实现实时纠错,确保数据安全和系统稳定性,已应用于小米、传音等品牌手机。
  • DDR4 DRAM芯片:标准型动态随机存储器,采用19nm工艺制造,广泛应用于个人电脑和服务器领域。作为长鑫存储早期量产的产品之一,为中国大陆首款自主研发的8Gb DDR4芯片,实现了国产DRAM产品从无到有的突破。
  • LPDDR4X DRAM芯片:第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器,采用LVSTL低功耗接口等降低功耗的设计。具备大容量、高速度、高带宽和超低功耗特点,为智能手机、智能穿戴等移动设备提供稳定流畅体验,支持高分辨率显示、虚拟现实和5G技术普及。
  • DDR5 DRAM芯片:面向个人电脑和服务器的第五代双倍数据速率同步动态随机存储器,提供更高的数据传输速率、更大容量和更低功耗。作为DDR4的升级版本,DDR5打破了传统内存对计算性能的限制,满足日益增长的数据处理需求,适用于高性能计算、数据中心和普通计算设备。

核心团队

  • 谢树民 – 监事
  • 赵纶 – 执行董事兼总经理
  • 黄丹阳 – 财务负责人

联系方式

联系人:赵纶
电话:0551-67189888
地址:上海市上海城区长宁区上海市长宁区娄山关路500号7-64室
官网: https://www.cxshmt.com/

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